전자 기기

파워 모듈, 고주파 장치, 광학 장치, LCD 장치 등

7세대 IGBT를 사용한 IGBT G1 시리즈

최신 IGBT1 칩이 탑재되어 있는 IPM2 G1 시리즈는 범용 인버터, 서보 증폭기, 엘리베이터와 같은 산업용 장비의 크기와 전력 소모량을 줄여주면서도 높은 안정성을 제공합니다. G1 시리즈는 6개 범주에 걸쳐 52개 제품으로 이루어져 광범위한 응용 분야와 산업용 장비의 요구 사항을 충족시켜 줄 수 있는 탁월한 선택이 될 수 있습니다.

1.
IGBT: 절연 게이트 양극성 트랜지스터
2.
IPM: 지능형 전력 모듈

초소형 Full SiC DIPIPM

새롭게 개발된 SiC1-MOSFET2는 이전 모델에 비해 약 75%까지 전력 소모를 줄여줍니다3. 이는 초소형 Full SiC DIPIPM4™이 업계에서 가장 낮은 전력 소모량을 제공하여5, 에너지 절약형 에어컨의 연간 에너지 효율을 높여줄 수 있음을 의미합니다.

1.
SiC: 탄화규소
2.
MOSFET: 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터
3.
초소형 DIPIPM 버전 6 시리즈(Si 제품) PSS15S92F6(15A/600V)
4.
DIPIPM: Dual-In-Line Package Intelligent Power Module
5.
2016년 8월 17일 수요일 기준, 내부 조사 결과

위성 지상국용 Ku밴드 GaN HEMT

트랜지스터 구조 최적화, 전력 증폭기 구성 요소의 수 감축, 지상국의 규모 축소를 통해 업계 최고1의 출력인 100W GaN2 HEMT3를 달성하였습니다. 또한 Mitsubishi Electric 제품에 구성 가능한 기존 전력 증폭기를 고출력 드라이버 단계로 활용하는 다양한 제품을 제공하여 Ku밴드4 위성 지상국의 다양한 수요를 충족해줍니다.

1.
2016년 9월 27일 기준, Ku밴드 위성 지상국에 대한 GaN HEMT의 내부 조사 결과
2.
GaN: 질화갈륨
3.
HEMT: 고전자 이동 트랜지스터
4.
Ku밴드: 주파수 12GHz~18GHz의 마이크로파

프로젝터용 고출력 639nm 적색 레이저 다이오드

고출력 639nm 적색 레이저 다이오드는 에피택시얼 구조 및 발광영역 사이즈의 최적화를 통해 업계 최고1의 연속구동 광출력 2.1W와 41%2의 고효율 전력 변환을 실현하여 고휘도가 요구되는 대형 프로젝터의 제품화에 기여합니다.

1.
2016년 12월 14일 수요일 기준, 내부 조사 결과
2.
케이스 온도 25℃에서 연속구동 2.1W 출력 시

산업용 터치 패널이 장착된 TFT-LCD 모듈(6.5인치 VGA, 8.4인치 SVGA/XGA, 10.6인치 WXGA)

이러한 프로젝티드 커패시티브 터치 패널은 5mm 두께의 보호 유리가 장착되어 있으며, 최대 10회의 동시 터치 입력을 지원하고, 두꺼운 내열 장갑을 착용했거나 화면이 젖어 있을 때도 사용할 수 있습니다. 따라서 내충격성과 내수성이 필요한 실외 응용 분야에 적합합니다.

산업용 Tough Series 컬러 TFT-LCD 모듈(7.0인치/8.0인치 WVGA)

이러한 Tough Series 모듈은 건설 장비, 농업 장비 및 공작 기계와 같이 다목적 고품질 디스플레이를 필요로 하는 험한 환경에서 사용할 수 있도록 기존 모듈보다 약 7배 강력한 진동에 대한 내진동성을 갖추었으며(6.8G), 작동 온도 범위가 확대되었고(-40°C ~ 85°C), 시야각이 매우 넓어졌습니다(모든 각도에서 170°).