■4인치의 고경도 SiC나 GaN 소재를 동시에 20장까지 가공 가능한 멀티 와이어 방전 가공 시스템*

• 와이어를 최소 600μm 간격으로 구동시켜 얇은 두께의 슬라이스 가공이 가능(웨이퍼 두께: 약 440μm)
• 방전에 의한 비접촉 가공이므로 재료 균열·손상층을 억제하여 소재 훼손을 최소화

■웨이퍼 슬라이스 전용 멀티 방전 가공 전원

• 나열된 여러 개의 와이어 각각에 독립적으로 에너지를 공급하여 멀티 슬라이스 속도를 크게 향상*
• 전용 고주파 전원 개발로 φ0.1mm의 세선 와이어 전극이라도 단선 없이 연속 가공 가능

■러닝 코스트와 환경 부하의 저감

• 다이아몬드 연마 입자를 사용하지 않는 저렴한 와이어 전극의 채택과 에너지 절약형 전원으로 러닝 코스트를 크게 절감

• * 표준: 10 병렬 가공 사양　옵션: 20 병렬 가공 사양